رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF6644TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
International Rectifier
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF6644TRPBF-DG
وصف:
IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
المخزون:
602356 قطع جديدة أصلية في المخزون
12979315
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF6644TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.3A (Ta), 60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.8V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2210 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DIRECTFET™ MN
العبوة / العلبة
DirectFET™ Isometric MN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
214
اسماء اخرى
IFEINFIRF6644TRPBF
2156-IRF6644TRPBF
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN3009LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMP31D7L-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
NVMFWS005N10MCLT1G
PTNG 100V LL SO8FL
