رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFP470
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFP470-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 24A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD
المخزون:
12821414
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFP470 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
MegaMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IRFP47
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW19NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
337
DiGi رقم الجزء
STW19NM50N-DG
سعر الوحدة
3.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW28NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
144
DiGi رقم الجزء
STW28NM50N-DG
سعر الوحدة
3.81
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW20NM50FD
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW20NM50FD-DG
سعر الوحدة
3.75
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW26NM50
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
364
DiGi رقم الجزء
STW26NM50-DG
سعر الوحدة
6.36
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFX520N075T2
MOSFET N-CH 75V 520A PLUS247-3
IXTQ18N60P
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
IXTA1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO263
