رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFC24N50
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFC24N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 21A ISOPLUS220
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 21A (Tc) 230W (Tc) Through Hole ISOPLUS220™
المخزون:
12821509
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFC24N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
230W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS220™
العبوة / العلبة
ISOPLUS220™
رقم المنتج الأساسي
IXFC24N50
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDP22N50N
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
987
DiGi رقم الجزء
FDP22N50N-DG
سعر الوحدة
1.62
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFT52N30Q
MOSFET N-CH 300V 52A TO268
IXFE44N50Q
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
IXTH64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO247
