رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFH7N80
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFH7N80-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 7A TO247AD
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
المخزون:
12820587
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFH7N80 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247AD (IXFH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFH7
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
IXFH7N80-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH10N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
72
DiGi رقم الجزء
IXFH10N80P-DG
سعر الوحدة
2.62
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STW10NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
39
DiGi رقم الجزء
STW10NK80Z-DG
سعر الوحدة
2.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW8NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
241
DiGi رقم الجزء
STW8NK80Z-DG
سعر الوحدة
1.63
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA32N20T
MOSFET N-CH 200V 32A TO263
IXFQ23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO268
IXTA340N04T4
MOSFET N-CH 40V 340A TO263AA
