رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFJ40N30
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFJ40N30-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 40A TO268
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-268
المخزون:
12818921
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFJ40N30 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-268
العبوة / العلبة
TO-220-3, Short Tab
رقم المنتج الأساسي
IXFJ40
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF57N65M5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STF57N65M5-DG
سعر الوحدة
5.70
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTX240N075L2
MOSFET N-CH 75V 240A PLUS247-3
IXTH130N20T
MOSFET N-CH 200V 130A TO247
IXFP130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
