رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFM42N20
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFM42N20-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 42A TO204AE
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
المخزون:
12821635
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFM42N20 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
42A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-204AE
العبوة / العلبة
TO-204AE
رقم المنتج الأساسي
IXFM42
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
20
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFB38N20DPBF
المُصنِّع
International Rectifier
الكمية المتاحة
3600
DiGi رقم الجزء
IRFB38N20DPBF-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFN140N20P
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
IXTH80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
IXTP100N15X4
MOSFET N-CH 150V 100A TO220
