رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFN39N90
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFN39N90-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 39A SOT-227B
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 39A (Tc) 694W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
المخزون:
12820001
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFN39N90 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
39A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
220mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 8mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
390 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
694W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-227B
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
IXFN39
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFN56N90P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
78
DiGi رقم الجزء
IXFN56N90P-DG
سعر الوحدة
44.84
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
APT41F100J
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
72
DiGi رقم الجزء
APT41F100J-DG
سعر الوحدة
49.87
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
APT10021JLL
المُصنِّع
Microchip Technology
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
APT10021JLL-DG
سعر الوحدة
93.28
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFN160N30T
MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
IXFN26N90
MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
IXTH2N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 2A TO247HV