رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFP3N80
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFP3N80-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
12822112
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFP3N80 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
685 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXFP3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STP4NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STP4NK80Z-DG
سعر الوحدة
0.76
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP3N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
841
DiGi رقم الجزء
STP3N80K5-DG
سعر الوحدة
0.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP3NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
993
DiGi رقم الجزء
STP3NK80Z-DG
سعر الوحدة
0.70
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH320N10T2
MOSFET N-CH 100V 320A TO247AD
IXFV74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A PLUS220
CPC3982TTR
MOSFET N-CH 800V SOT23
