رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFR24N50
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFR24N50-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
المخزون:
12820872
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFR24N50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
HiPerFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
230mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4200 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS247™
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXFR24
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFR30N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFR30N60P-DG
سعر الوحدة
8.63
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW19NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
337
DiGi رقم الجزء
STW19NM50N-DG
سعر الوحدة
3.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW20NK50Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
728
DiGi رقم الجزء
STW20NK50Z-DG
سعر الوحدة
2.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTQ54N30T
MOSFET N-CH 300V 54A TO3P
IXTN60N50L2
MOSFET N-CH 500V 53A SOT227B
IXTT16P20
MOSFET P-CH 200V 16A TO268