رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXFT15N100Q3
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXFT15N100Q3-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 15A (Tc) 690W (Tc) Surface Mount TO-268AA
المخزون:
12821147
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXFT15N100Q3 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Q3 Class
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
6.5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3250 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
690W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-268AA
العبوة / العلبة
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
رقم المنتج الأساسي
IXFT15
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
-IXFT15N100Q3
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFD40N30Q-72
MOSFET N-CHANNEL 300V DIE
IXTT16P60P
MOSFET P-CH 600V 16A TO268
IXTP05N100M
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
