IXFX170N20T
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXFX170N20T

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXFX170N20T-DG

وصف:

MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 170A (Tc) 1150W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

المخزون:

12914117
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXFX170N20T المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
HiPerFET™, Trench
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
170A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 4mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
19600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PLUS247™-3
العبوة / العلبة
TO-247-3 Variant
رقم المنتج الأساسي
IXFX170

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IRFP4668PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8420
DiGi رقم الجزء
IRFP4668PBF-DG
سعر الوحدة
4.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFR120PBF

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

vishay-siliconix

IRFP054PBF

MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3

vishay-siliconix

SI5482DU-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK

littelfuse

IXTH220N055T

MOSFET N-CH 55V 220A TO247