الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXKR40N60C
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXKR40N60C-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 38A (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
المخزون:
16 قطع جديدة أصلية في المخزون
12914352
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXKR40N60C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS247™
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXKR40
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
IXKR40N60C
مخططات البيانات
IXKR40N60C
ورقة بيانات HTML
IXKR40N60C-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
-IXKR40N60C
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW48NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
582
DiGi رقم الجزء
STW48NM60N-DG
سعر الوحدة
8.75
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCH072N60
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
39
DiGi رقم الجزء
FCH072N60-DG
سعر الوحدة
4.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FCH070N60E
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
473
DiGi رقم الجزء
FCH070N60E-DG
سعر الوحدة
5.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SI7411DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 7.5A PPAK1212-8
SI5482DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SI8806DB-T2-E1
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
SI4108DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC