رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA2N80P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA2N80P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 2A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-263AA
المخزون:
12821899
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA2N80P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
PolarHV™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
440 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA2
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFA4N85X
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFA4N85X-DG
سعر الوحدة
1.97
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFX300N20X3
MOSFET N-CH 200V 300A PLUS247-3
IXFN44N80P
MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
IXTA152N085T
MOSFET N-CH 85V 152A TO263
