رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA460P2
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA460P2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 24A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 24A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263AA
المخزون:
36 قطع جديدة أصلية في المخزون
12820264
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA460P2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
PolarP2™
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
24A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
270mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2890 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
480W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA460
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
-IXTA460P2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA16N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTA16N50P-DG
سعر الوحدة
2.83
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDB20N50F
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
12950
DiGi رقم الجزء
FDB20N50F-DG
سعر الوحدة
1.47
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STB23NM50N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STB23NM50N-DG
سعر الوحدة
2.15
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFN106N20
MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B
IXFK50N85X
MOSFET N-CH 850V 50A TO264
IXTH3N150
MOSFET N-CH 1500V 3A TO247
