رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA4N80P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA4N80P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA
المخزون:
12821726
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA4N80P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
Polar
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA4
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB7NK80ZT4
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4410
DiGi رقم الجزء
STB7NK80ZT4-DG
سعر الوحدة
1.21
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD3N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
4899
DiGi رقم الجزء
STD3N80K5-DG
سعر الوحدة
0.53
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFN180N07
MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B
IXFH10N80P
MOSFET N-CH 800V 10A TO247AD
IXFY36N20X3
MOSFET N-CH 200V 36A TO252AA
