رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTA5N60P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTA5N60P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 5A TO263
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA
المخزون:
12820304
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTA5N60P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
PolarHV™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.7Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AA
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IXTA5
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTA8N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
90
DiGi رقم الجزء
IXTA8N65X2-DG
سعر الوحدة
1.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD5N62K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2481
DiGi رقم الجزء
STD5N62K3-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTH30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
IXTA180N10T7
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IXFN23N100
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
