رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTF1N250
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTF1N250-DG
وصف:
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
وصف تفصيلي:
N-Channel 2500 V 1A (Tc) 110W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
المخزون:
12819673
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTF1N250 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
2500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1660 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISOPLUS i4-PAC™
العبوة / العلبة
i4-Pac™-5 (3 Leads)
رقم المنتج الأساسي
IXTF1
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
Q7319967A
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTH50N30
MOSFET N-CH 300V 50A TO247
IXTP01N100D
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
IXTP2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
