رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTH10P50
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTH10P50-DG
وصف:
MOSFET P-CH 500V 10A TO247
وصف تفصيلي:
P-Channel 500 V 10A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12820792
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTH10P50 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4700 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH10
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
IXTH10P50-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH16N50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH16N50P-DG
سعر الوحدة
2.71
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTH20P50P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
375
DiGi رقم الجزء
IXTH20P50P-DG
سعر الوحدة
6.53
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTF1N450
MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC
IXFA220N06T3
MOSFET N-CH 60V 220A TO263
IXFP7N80PM
MOSFET N-CH 800V 3.5A TO220AB
