رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTH13N80
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTH13N80-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 13A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12821166
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTH13N80 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
MegaMOS™
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
800mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4500 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH13
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW13N80K5
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW13N80K5-DG
سعر الوحدة
2.04
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW10NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
39
DiGi رقم الجزء
STW10NK80Z-DG
سعر الوحدة
2.27
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW12NK80Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW12NK80Z-DG
سعر الوحدة
2.74
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH12N80P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH12N80P-DG
سعر الوحدة
4.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTA64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO263AA
IXTH30N60L2
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
IXFT60N50P3
MOSFET N-CH 500V 60A TO268
