رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTH16P20
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTH16P20-DG
وصف:
MOSFET P-CH 200V 16A TO247
وصف تفصيلي:
P-Channel 200 V 16A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12819211
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTH16P20 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Last Time Buy
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
160mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2800 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH16
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTH26P20P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
375
DiGi رقم الجزء
IXTH26P20P-DG
سعر الوحدة
3.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFB72N55Q2
MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
MKE38P600LB-TUB
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
IXTR170P10P
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
