رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTH40N30
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTH40N30-DG
وصف:
MOSFET N-CH 300V 40A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 300 V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12819449
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTH40N30 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
MegaMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
300 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
40A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
300W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH40
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
IXTH40N30-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXFH56N30X3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
1356
DiGi رقم الجزء
IXFH56N30X3-DG
سعر الوحدة
5.57
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH46N30T
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFH46N30T-DG
سعر الوحدة
4.59
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW46NF30
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STW46NF30-DG
سعر الوحدة
1.71
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTP86N20T
MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB
IXFR12N100
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
IXFT50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO268