رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTH60N25
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTH60N25-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 60A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 60A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12820056
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTH60N25 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
60A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
400W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH60
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW52NK25Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
444
DiGi رقم الجزء
STW52NK25Z-DG
سعر الوحدة
3.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFP4229PBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1265
DiGi رقم الجزء
IRFP4229PBF-DG
سعر الوحدة
2.37
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP50NF25
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1337
DiGi رقم الجزء
STP50NF25-DG
سعر الوحدة
1.11
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH40N30Q
MOSFET N-CH 300V 40A TO247AD
IXFK32N90P
MOSFET N-CH 900V 32A TO264AA
IXFK100N25
MOSFET N-CH 250V 100A TO264AA