رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTH6N90
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTH6N90-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 6A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 6A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
المخزون:
12820464
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTH6N90 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
180W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247 (IXTH)
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTH6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STW7NK90Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
86
DiGi رقم الجزء
STW7NK90Z-DG
سعر الوحدة
1.75
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW9NK90Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
411
DiGi رقم الجزء
STW9NK90Z-DG
سعر الوحدة
2.00
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW11NK90Z
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
550
DiGi رقم الجزء
STW11NK90Z-DG
سعر الوحدة
3.17
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQH8N100C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQH8N100C-DG
سعر الوحدة
2.32
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFH40N50Q2
MOSFET N-CH 500V 40A TO247AD
IXFX32N90P
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3
IXTK102N30P
MOSFET N-CH 300V 102A TO264
