رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTJ4N150
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTJ4N150-DG
وصف:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 1500 V 2.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole ISO247
المخزون:
4 قطع جديدة أصلية في المخزون
12819803
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTJ4N150 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1576 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
ISO247
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
IXTJ4
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXTF230N085T
MOSFET N-CH 85V 130A I4PAC
IXTH450P2
MOSFET N-CH 500V 16A TO247
IXTQ130N15T
MOSFET N-CH 150V 130A TO3P
