IXTP1N100
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IXTP1N100

Product Overview

المُصنّع:

IXYS

رقم الجزء DiGi Electronics:

IXTP1N100-DG

وصف:

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12822240
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IXTP1N100 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1000 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
54W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
IXTP1

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
IXT(A,P)1N100
مخططات البيانات
IXTP1N100
ورقة بيانات HTML
IXTP1N100-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية
50

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXFP4N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXFP4N100P-DG
سعر الوحدة
2.40
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
littelfuse

IXFK32N100P

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

littelfuse

IXTA1R4N100P

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

littelfuse

IXFK90N20Q

MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA

littelfuse

IXTC200N10T

MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220