رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IXTY3N50P
Product Overview
المُصنّع:
IXYS
رقم الجزء DiGi Electronics:
IXTY3N50P-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 3.6A TO252AA
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 3.6A (Tc) 70W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12819189
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IXTY3N50P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Littelfuse
تعبئة
-
سلسلة
PolarHV™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5.5V @ 50µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
409 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
70W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IXTY3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
70
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTY4N65X2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
70
DiGi رقم الجزء
IXTY4N65X2-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD6N52K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2751
DiGi رقم الجزء
STD6N52K3-DG
سعر الوحدة
0.45
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STD4N52K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
STD4N52K3-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFA60N25X3
MOSFET N-CH 250V 60A TO263AA
IXKC19N60C5
MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220
IXTP36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB