APT47M60J
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

APT47M60J

Product Overview

المُصنّع:

Microchip Technology

رقم الجزء DiGi Electronics:

APT47M60J-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 49A ISOTOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 49A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

المخزون:

5 قطع جديدة أصلية في المخزون
13257414
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

APT47M60J المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
POWER MOS 8™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
49A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 2.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
13190 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
540W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
حزمة جهاز المورد
ISOTOP®
العبوة / العلبة
SOT-227-4, miniBLOC
رقم المنتج الأساسي
APT47M60

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
APT47M60J High-Voltage Power Discretes and Modules

معلومات إضافية

الباقة القياسية
10

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
IXFN82N60Q3
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
50
DiGi رقم الجزء
IXFN82N60Q3-DG
سعر الوحدة
45.00
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

APT5017BVFRG

MOSFET N-CH 500V 30A TO247

microsemi

APT12080JVR

MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP

microchip-technology

APL602B2G

MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

microsemi

APT30N60KC6

MOSFET N-CH 600V 30A TO220