رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
MSCSM120AM50CT1AG
Product Overview
المُصنّع:
Microchip Technology
رقم الجزء DiGi Electronics:
MSCSM120AM50CT1AG-DG
وصف:
SIC 2N-CH 1200V 55A SP1F
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 55A (Tc) 245W (Tc) Chassis Mount SP1F
المخزون:
12973880
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
MSCSM120AM50CT1AG المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microchip Technology
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
Silicon Carbide (SiC)
تكوين
2 N Channel (Phase Leg)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
1200V (1.2kV)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
55A (Tc)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.7V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
137nC @ 20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1990pF @ 1000V
الطاقة - الحد الأقصى
245W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Chassis Mount
العبوة / العلبة
Module
حزمة جهاز المورد
SP1F
رقم المنتج الأساسي
MSCSM120
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-MSCSM120AM50CT1AG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDG6332C-PG
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
SIC 6N-CH 1200V 15A AG-EASY1B
MSCSM70DUM10T3AG
SIC 2N-CH 700V 241A SP3F