2N5014
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N5014

Product Overview

المُصنّع:

Microsemi Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N5014-DG

وصف:

TRANS NPN 900V 0.2A TO5
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 900 V 200 mA 1 W Through Hole TO-5AA

المخزون:

13264597
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2N5014 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
200 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
900 V
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 20mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-5AA

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-2N5014
2N5014-ND

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

2N3467

TRANS PNP 40V 1A TO39

microchip-technology

2N5154L

TRANS NPN 80V 2A TO5AA

microchip-technology

JANTXV2N6675

NPN TRANSISTOR

microchip-technology

JANSD2N3636L

TRANS PNP 175V 1A TO5