2N6768
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2N6768

Product Overview

المُصنّع:

Microsemi Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

2N6768-DG

وصف:

MOSFET N-CH 400V 14A TO3
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

المخزون:

13256621
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2N6768 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4W (Ta), 150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3
العبوة / العلبة
TO-204AE
رقم المنتج الأساسي
2N6768

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
150-2N6768
2N6768-ND

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
microchip-technology

APT20M18LVFRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264

microchip-technology

APT20M45BVRG

MOSFET N-CH 200V 56A TO247

microchip-technology

APT1001RBVRG

MOSFET N-CH 1000V 11A TO247

microsemi

APT50M80B2VRG

MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX