رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JAN2N3960
Product Overview
المُصنّع:
Microsemi Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
JAN2N3960-DG
وصف:
TRANS NPN 12V TO18
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V 400 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
المخزون:
12927415
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JAN2N3960 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
12 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 3mA, 30mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 10mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
400 mW
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 200°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/399
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
حزمة جهاز المورد
TO-18 (TO-206AA)
رقم المنتج الأساسي
2N3960
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
100
اسماء اخرى
1086-20938-MIL
1086-20938-DG
1086-20938
150-JAN2N3960
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC54190RA
TRANS NPN 300V 0.07A MT-2
JANTX2N3019
TRANS NPN 80V 1A TO5
JANTXV2N6546
TRANS NPN 300V 15A TO204AA
