رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
JAN2N6849U
Product Overview
المُصنّع:
Microsemi Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
JAN2N6849U-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 18-ULCC (9.14x7.49)
المخزون:
12928453
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
JAN2N6849U المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Microsemi
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
320mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
800mW (Ta), 25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Military
تأهيل
MIL-PRF-19500/564
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
18-ULCC (9.14x7.49)
العبوة / العلبة
18-CLCC
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
JAN2N6849U-DG
JAN2N6849U-MIL
150-JAN2N6849U
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
JANTXV2N6760
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA
NVB6412ANT4G
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK-3
2SK3547G0L
MOSFET N-CH 50V 100MA SSSMINI3
