رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N7002,235
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N7002,235-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 300mA (Tc) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB
المخزون:
9185 قطع جديدة أصلية في المخزون
12827250
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N7002,235 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
300mA (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
50 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
830mW (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-65°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
2N7002
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
1727-2N7002,235TR
1727-2N7002,235DKR
5202-2N7002,235TR
1727-2N7002,235CT
934003470235
2N7002,235-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2N7002KT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
209815
DiGi رقم الجزء
2N7002KT1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2N7002ET1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
528264
DiGi رقم الجزء
2N7002ET1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BUK7219-55A,118
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
2N7002NXBKR
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
BUK7Y43-60EX
MOSFET N-CH 60V 22A LFPAK56