رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BUK6Y57-60PX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
BUK6Y57-60PX-DG
وصف:
MOSFET P-CH 60V 23A LFPAK56
وصف تفصيلي:
P-Channel 60 V 23A (Ta) 66W (Ta) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
12831247
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BUK6Y57-60PX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
57mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
66W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
1727-7671-2
1727-7671-6
934660239115
1727-7671-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SQJ461EP-T1_GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
9878
DiGi رقم الجزء
SQJ461EP-T1_GE3-DG
سعر الوحدة
1.23
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN7R5-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56
PSMN5R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
PSMN4R4-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
