رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
NXV65UPR
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
NXV65UPR-DG
وصف:
NXV65UP/SOT23/TO-236AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2.1A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
المخزون:
50625 قطع جديدة أصلية في المخزون
12950069
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
NXV65UPR المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
458 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1727-NXV65UPRDKR
1727-NXV65UPRCT
1727-NXV65UPRTR
934661665215
5202-NXV65UPRTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PXN7R7-25QLJ
PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
PXN6R7-30QLJ
PXN6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33
NXV55UNR
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
