NXV75UPR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NXV75UPR

Product Overview

المُصنّع:

Nexperia USA Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

NXV75UPR-DG

وصف:

NXV75UP/SOT23/TO-236AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB

المخزون:

27498 قطع جديدة أصلية في المخزون
12950038
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NXV75UPR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.3 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1727-NXV75UPRCT
934661662215
5202-NXV75UPRTR
1727-NXV75UPRTR
1727-NXV75UPRDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
central-semiconductor

CDM2206-800LR

MOSFET N-CH 800V 6A TO220

nexperia

PXN017-30QLJ

PXN017-30QL/SOT8002/MLPAK33

nexperia

PXN6R2-25QLJ

PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33

alpha-and-omega-semiconductor

AOC3844

MOSFET N-CH 6-DFN