NXV90EPR
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

NXV90EPR

Product Overview

المُصنّع:

Nexperia USA Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

NXV90EPR-DG

وصف:

NXV90EP/SOT23/TO-236AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB

المخزون:

45051 قطع جديدة أصلية في المخزون
12986863
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

NXV90EPR المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
120mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
252 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1727-NXV90EPRTR
1727-NXV90EPRDKR
1727-NXV90EPRCT
934661667215
5202-NXV90EPRTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
nxp-semiconductors

PSMN6R3-120PS

PSMN6R3-120PS - N-CHANNEL 120V S

micro-commercial-components

MCACL175N06Y-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

goford-semiconductor

G10N10A

N100V,RD(MAX)130MOHM@10V,TO-252

vishay-siliconix

SQD15N06-42L_T4GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET