الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PDTA123YU,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PDTA123YU,115-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount SOT-323
المخزون:
2940 قطع جديدة أصلية في المخزون
12830112
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PDTA123YU,115 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2 kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
10 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
35 @ 5mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323
حزمة جهاز المورد
SOT-323
رقم المنتج الأساسي
PDTA123
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PDTA123YU,115 Datasheet
مخططات البيانات
PDTA123YU,115
ورقة بيانات HTML
PDTA123YU,115-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
PDTA123YU T/R-DG
1727-PDTA123YU,115TR
1727-PDTA123YU,115DKR
934058792115
PDTA123YU,115-DG
2156-PDTA123YU,115-NEX
PDTA123YU T/R
1727-PDTA123YU,115CT
5202-PDTA123YU,115TR
NEXNEXPDTA123YU,115
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DDTA123TCA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
8987
DiGi رقم الجزء
DDTA123TCA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTA123TUA-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA123TUA-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DTA123YUAT106
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
245
DiGi رقم الجزء
DTA123YUAT106-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTA123TE-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DDTA123TE-7-F-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
MUN5135T1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
9000
DiGi رقم الجزء
MUN5135T1G-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PDTC124EU/ZLF
TRANS PREBIAS
PDTC114YMB,315
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A 3DFN
PDTA143TT,215
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
PDTA114ET,235
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB