رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PDTA124TM,315
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PDTA124TM,315-DG
وصف:
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-883
المخزون:
12830853
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PDTA124TM,315 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP - Pre-Biased
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
22 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
الطاقة - الحد الأقصى
250 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-101, SOT-883
حزمة جهاز المورد
SOT-883
رقم المنتج الأساسي
PDTA124
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
934057163315
568-2121-1
568-2121-2
PDTA124TM T/R
1727-3018-1
5202-PDTA124TM,315TR
1727-3018-2
568-2121-2-DG
568-2121-1-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RN2103ACT(TPL3)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
10000
DiGi رقم الجزء
RN2103ACT(TPL3)-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
RN2112ACT(TPL3)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
10000
DiGi رقم الجزء
RN2112ACT(TPL3)-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DDTA114YLP-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
DDTA114YLP-7-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCR183E6359HTMA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
PDTD113EQAZ
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN
PDTA124EQAZ
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
