الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PEMD30,315
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PEMD30,315-DG
وصف:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12907515
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PEMD30,315 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مجمعات الترانزستورات ثنائية القطب، مُعاد التحيز
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
المقاوم - القاعدة (R1)
2.2kOhms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
-
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 20mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
150mV @ 500µA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA
التردد - الانتقال
-
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
SOT-666
رقم المنتج الأساسي
PEMD30
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
PUMD12
مخططات البيانات
PEMD30,315
ورقة بيانات HTML
PEMD30,315-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
5202-PEMD30,315TR
934059928315
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PEMD16,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
PUMD16,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
PRMB11Z
TRANS PREBIAS 2PNP 50V DFN1412-6
PUMH2F
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP