رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PH955L,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PH955L,115-DG
وصف:
MOSFET N-CH 55V 62.5A LFPAK56
وصف تفصيلي:
N-Channel 55 V 62.5A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
المخزون:
12830133
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PH955L,115 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
55 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
62.5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.3mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2836 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
LFPAK56, Power-SO8
العبوة / العلبة
SC-100, SOT-669
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
NEXNEXPH955L,115
PH955L T/R-DG
934058856115
2156-PH955L,115-NEX
PH955L T/R
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PSMN4R0-60YS,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
7217
DiGi رقم الجزء
PSMN4R0-60YS,115-DG
سعر الوحدة
0.68
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN6R9-100YSFX
MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
BSH108,215
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB
BUK9Y113-100E,115
MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56