رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PHP23NQ11T,127
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PHP23NQ11T,127-DG
وصف:
MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 110 V 23A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
المخزون:
5285 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891034
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PHP23NQ11T,127 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tube
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
110 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
23A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
830 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220AB
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
PHP23NQ11
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
2156-PHP23NQ11T,127
2156-PHP23NQ11T,127-NEX
568-5759-5-DG
568-5759-DG
568-5759-5
NEXNXPPHP23NQ11T,127
PHP23NQ11T,127-DG
568-5759
PHP23NQ11T-DG
NEXNEXPHP23NQ11T,127
PHP23NQ11T
PHP23NQ11T127
1727-4642
934058501127
5202-PHP23NQ11T,127TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRL540PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
2091
DiGi رقم الجزء
IRL540PBF-DG
سعر الوحدة
0.99
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPC6113(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5A VS-6
TK14E65W,S1X
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220
TPCC8067-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON
