رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMN25ENEH
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMN25ENEH-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 6.1A (Ta) 560mW (Ta), 6.25mW (Tc) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
12919167
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMN25ENEH المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
597 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
رقم المنتج الأساسي
PMN25
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
934660264125
5202-PMN25ENEHTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMN25ENEAH
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2994
DiGi رقم الجزء
PMN25ENEAH-DG
سعر الوحدة
0.09
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SUM70090E-GE3
MOSFET N-CH 100V 50A TO263
SIHG33N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
SI7457DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8