رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMN35EN,125
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMN35EN,125-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 5.1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
12833017
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMN35EN,125 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
31mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
334 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
568-10800-2
568-10800-6
934065376125
PMN35EN,125-DG
568-10800-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDC645N
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3709
DiGi رقم الجزء
FDC645N-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
DMG6402LVT-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
26413
DiGi رقم الجزء
DMG6402LVT-7-DG
سعر الوحدة
0.06
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
AO6424
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AO6424-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRFR3710Z
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
PMZB290UNE2YL
MOSFET N-CH 20V 1.2A DFN1006B-3
BUK9277-55A,118
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
