رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMN55ENEX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMN55ENEX-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 4.5A 6TSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 4.5A (Ta) 560mW (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
3000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12832643
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMN55ENEX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
TrenchMOS™
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.7V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
646 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
560mW (Ta), 6.25W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
رقم المنتج الأساسي
PMN55
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
PMN55ENEX-DG
1727-7657-1
1727-7657-2
1727-7657-6
934660265115
5202-PMN55ENEXTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMN55ENEH
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
3000
DiGi رقم الجزء
PMN55ENEH-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PSMN2R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
2N7002LT1H
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
BUK9M11-40HX
MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK33
