رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMN80XP,115
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMN80XP,115-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6TSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 385mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
المخزون:
12832437
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMN80XP,115 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
102mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
385mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
568-10806-2-DG
568-10806-1-DG
1727-1363-6
568-10806-1
568-10806-6-DG
568-10806-2
934066578115
PMN80XP,115-DG
568-10806-6
1727-1363-1
1727-1363-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMV48XP,215
MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB
PSMN009-100B,118
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
BSH203,215
MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB
