رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMPB20XNEAZ
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMPB20XNEAZ-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 7.5A DFN2020MD-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 7.5A (Ta) 460mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
المخزون:
2912 قطع جديدة أصلية في المخزون
12914908
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMPB20XNEAZ المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
20mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.25V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
930 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
460mW (Ta), 12.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DFN2020MD-6
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
PMPB20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
PMPB20XNEAZ-DG
1727-PMPB20XNEAZDKR
1727-8339-1-DG
1727-8339-2-DG
1727-PMPB20XNEAZTR
2156-PMPB20XNEAZ
1727-8339-2
5202-PMPB20XNEAZTR
934069561184
1727-8339-6
1727-8339-6-DG
1727-PMPB20XNEAZCT
1727-8339-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMPB20XNEAX
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
2890
DiGi رقم الجزء
PMPB20XNEAX-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFD9020
MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
SI1046X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
SI1050X-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
