رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMPB25ENEX
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMPB25ENEX-DG
وصف:
MOSFET DFN2020MD-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount DFN2020MD-6
المخزون:
4791 قطع جديدة أصلية في المخزون
12831674
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMPB25ENEX المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
607 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DFN2020MD-6
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
PMPB25
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1727-7662-1
5202-PMPB25ENEXTR
1727-7662-2
PMPB25ENEX-DG
934660353115
1727-7662-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PMV27UPEAR
MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
BST82,235
MOSFET N-CH 100V 190MA TO236AB
PHP18NQ10T,127
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB
