PMV32UP,215
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

PMV32UP,215

Product Overview

المُصنّع:

Nexperia USA Inc.

رقم الجزء DiGi Electronics:

PMV32UP,215-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount TO-236AB

المخزون:

10527 قطع جديدة أصلية في المخزون
12832611
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

PMV32UP,215 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
950mV @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1890 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
510mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
PMV32

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
568-10321-1-DG
568-10321-2-DG
568-10321-6
1727-1153-6
5202-PMV32UP,215TR
568-10321-1
568-10321-2
1727-1153-2
1727-1153-1
PMV32UP215
PMV32UP,215-DG
934065645215
568-10321-6-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
nexperia

PSMN7R0-60YS,115

MOSFET N-CH 60V 89A LFPAK56

nexperia

ON5194,127

MOSFET POWER TRENCH I2PAK

nexperia

PMZ130UNEYL

MOSFET N-CH 20V 1.8A DFN1006-3

nexperia

PSMN2R6-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56