رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
PMV52ENER
Product Overview
المُصنّع:
Nexperia USA Inc.
رقم الجزء DiGi Electronics:
PMV52ENER-DG
وصف:
PMV52ENE/SOT23/TO-236AB
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) 630mW (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount TO-236AB
المخزون:
1301 قطع جديدة أصلية في المخزون
12974724
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
PMV52ENER المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Nexperia
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
70mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
100 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
630mW (Ta), 5.7W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-236AB
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1727-PMV52ENERTR
1727-PMV52ENERCT
PMV52ENE
934664415215
1727-PMV52ENERDKR
5202-PMV52ENERTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMV52ENEAR
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
12675
DiGi رقم الجزء
PMV52ENEAR-DG
سعر الوحدة
0.08
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
NVTYS9D6P04M8LTWG
MV8 40V LL SINGLE PCH L
SQJ488EP-T2_BE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
CSD17507Q5AT
IC CLOCK BUFFER
